วงจรออสซิลเลเตอร์แบบวงแหวนที่มีอัตราสิ้นเปลืองกำลังไฟฟ้าต่ำโดยใช้มอสที่ถูกไบแอสแบบเกท-บอดี

บทคัดย่อ

งานวิจัยนี้นำเสนอวงจรออสซิลเลเตอร์แบบวงแหวน ซึ่งถูกออกแบบโดยใช้มอสที่ไบแอสแบบเกท-บอดี (VTCMOS) วงจรจะมีอัตราการสิ้นเปลืองกำลังงานต่ำ เหมาะสำหรับการออกแบบเป็นวงจรรวมความจุสูงมาก (VLSI) สมรรถนะจากการออกแบบวงจรโดยใช้เทคโนโลยีระดับ 90 นาโนเมตร ที่แรงดันไฟเลี้ยง 0.2 โวลต์ ผลที่ได้จากการจำลองการทำงานด้วยโปรแกรม PSPICE พบว่าที่ความถี่ 1.9 เมกะเฮิรตซ์ วงจรออสซิลเลเตอร์สิ้นเปลืองกำลังงานเพียง 8.26 พิโกวัตต์ และวงจรสามารถกำเนิดความถี่ได้สูงสุดที่ 104 เมกะเฮิรตซ์ และมีการสิ้นเปลืองกำลังงาน 80.3 ไมโครวัตต์